Техническая спецификация
 Макс. параметры эксплуатации  Электрические параметры  Упаковка

Диоды полупроводниковые импульсные эпитаксиально-планарные

Тип: 1N4148
Тип корпуса: DO-35
11 - неконтролируемая и непригодная для монтажа длина вывода.
1, мм
H, mm
Примечание
28±2
63,8 max
  
29,3 min
62,78±0,6
 Для автоматизированной сборки аппаратуры
Максимальные параметры эксплуатации
Tamb=25°C
Измеряемый параметр
Ед. изм.
Значение
Постоянное обратное напряжение, UR
В
75
Импульсное обратное напряжение, URM
В
100
Температура хранения, Тstg
°C
от –65 до +200
Рабочая температура окружающей среды
°C
от –65 до +150
Электрические параметры
Tamb=25°C
Измеряемый параметр
Режим измерения
Значение
Мин.
Макс.
Прямое напряжение, UF1, В
IF1=10 мA
  
1,0
Обратный ток, IR1, мкА
UR1=75 В
  
5
Обратный ток, IR2, мкА
UR1=20 В
Tamb = 25-5°C
  
0.025
Обратное пробивное напряжение, UBR, В *
IR=100 мкА
100
  
Заряд восстановления, Qr. пКл
IF=10 mA
UR=10 В
  
200
Емкость, Ctot, пФ
UR=0 В
f=1MHz
  
4
* Примечание. tp / T = 0.01, tp = 0.3 мс
Упаковка
  1. Упаковка в полиэтиленовый пакет россыпью по 500 шт. диодов, сориентированных по полярности.
  2. Упаковка в липкую ленту в соответствии с МЭК 286-1.

Наш адрес

224022, Республика Беларусь, г. Брест, ул. Карьерная, 11.
ОАО "Цветотрон"
Отдел маркетинга и сбыта: тел./факс +375 (0) 162 43-48-03
Приёмная: тел./Факс +375 (0) 162 43-32-58
E-mail: tsvetotron